Valeo-Valeoscope_ from stop_start to hybridization_CZ_956585

Použití tranzistorů typu MOSFET pro funkci usměr- nění, které se jinak běžně provádí diodami, zvyšu- je účinnost, tepelnou výkonnost, hustotu výkonu a spolehlivost. Vyšší účinnost lze dosáhnout synchronním přepí- náním výkonových tranzistorů při emulaci diod, při- čemž se využijí nízké ztráty tranzistorů v průcho- zím směru. Synchronní spínání znamená, že se tranzistor zapí- ná a vypíná podle polarity střídavého proudu, takže funguje jako usměrňovač. Výběr vysoce výkonných tranzistorů typu MOSFET snižuje úbytek napětí v prů- chozím směru na zlomek toho, co může dosáhnout libovolná dioda. Účinnost alternátoru se podstatně zlepší, protože synchronní usměrňovač má mnohem nižší ztráty než diodový. Synchronní usměrnění je jedním z důvodů vyni- kající 82% účinnosti startéru-alternátoru StARS, a tato hodnota je o 10 % vyšší, než mají nejlepší konvenční alternátory na trhu.

Z důvodu vyšší účinnost jsou konvenční usměrňovací diody nahrazeny tranzistory typu MOSFET.

Díky použíti v systémech Valeo StARS umožňuje synchronní usměrnění dosáhnout snížení CO 2 o cca 2 g/km.

Ztráty aktiv. usměrňovače 70 W při 200 A

Ztráty diod. usměrňovače 350 W při 200 A

Účinnost + 8 bodů

140 120 100

D

A

G

Synchronní usměrnění s MOSFET ƒ ƒ Snižuje úbytek napětí o faktor 5 oproti diodám ƒ ƒ Vytváří méně tepla ƒ ƒ Zvýšená hodnota proudu i při volnoběžných otáčkách ƒ ƒ Podstatné zvýšení účinnosti ƒ ƒ Snížení CO 2 přibližně o 2 g/km

C

S

80 60 40 20 0

Proud (A)

0,20V

1,00V

0

0,40V 0,60V 0,80V

1,20V

Úbytek napětí ve V (ztráty,...)

Díky své mikroelektronické struktuře jsou tranzisto- ry MOSFET schopny téměř eliminovat úbytek napětí během usměrňování: 0,2 V místo 1,0 V při 200 A.

Vzhledem k tomu, že výkon je dán součinem proudu a napětí, bude také ztráta výkonu v rámci usměr- ňovacího můstku dělena faktorem 5.

17